Основные виды деятельности компании Cree.
Компания Cree-мировой лидер в разработке, производстве и продвижении электронных устройств, изготавливаемых из карбида кремния ( SiC). Компания имеет свои собственные технологии по производству сложных полупроводников, которые используются в автомобильной промышленности, подсветки жидкокристаллических дисплеев, индикаторных ламп, полноцветных излучающих диодов (LEDs ) и другого светодиодного освещения.
Помимо этого компания Cree производит кристаллы на основе SiC, применяемые также в производстве драгоценных камней муассанита и пластин на основе SiC. Исследования инженеров компании Creeнаправлены на изучение оптико-электронных процессов, микроволн и ряда силовых цепей энергетики.[szapisi]
Ключевые даты в развитии компании.
1987 год – основание компании CreeResearch.Inc
1989 год – компания первая представила миру синие светодиоды
1993 год – руководство компании впервые выпускает на рынок ценных бумаг собственные акции
1994 год – компания приобретает ColorCellsInternationalofHongKongи переделывает ее в дочернюю компанию – RealColorDisplays
1998 год – запускается в производство мощный светодиоды синие и зеленые
1999 год – представляет на суд потребителей 4 дюймовые пластины на основе SiC
2000 год – компания меняет название на Cree.Inc
2001 год – поступают в производство сверхяркие светодиоды MegaBrightсиние и ультрафиолетовые и диоды Шоттки.
История компании Cree
CreeInc. разрабатывает и выпускает полупроводники из карбида кремния ( SiC ). Среди достижений компании стоит выделить получение первого в мире синего светодиода, который стал незаменим при производстве вездесущих ЖК дисплеев. Компания наладила поставки своих светодиодов для производителей электронного оборудования в различные страны, такие как: США, Малайзия, Япония, Европа. Можно отметить сотрудничество с Osram Opto Semiconductors GmbH, Spectrian и Sumitomo Corporation. Светодиоды компании отлично показали себя в уличных панно и телевизорах, рекламных щитах, дорожных знаках и т.д. и т.п. Дочерняя компания Real поставляет на рынок огромные полноцветные экраны для улиц. CreeInc. выпускает SiCпластины, которые с удовольствием приобретает правительство, частные люди, университеты, которые в последствии используют их в электронных устройствах и микроволновых исследованиях. Немаловажную роль пластины играют и в ювелирной промышленности. После приобретения в 2000 году дочернюю компанию UltraRFCreeстала выпускать компоненты для усилителя, используемого в базовых станциях, передающих сигналы от беспроводных устройств. В настоящее время исследования Cree направлены на производство светодиодов большой мощности и эффективности. 65 % проданных светодиодов от компании Cree закупались на рынке Малайзии. В этот год Малайзийцы потеснили Японцев ( некогда основного потребителя Cree ), тем самым забрав себе долю в 23 процента. 16 % компания получила в 2002 году от правительственных учреждений США.
Начало становления компании Cree. И революционные продукты компании.
Научные работы, которые легли в основу компании начались еще в 1980 году в Государственном Университете Северной Каролины ( NSCU ). Здесь братья Хантеры Эрик и Хил, совместно с с Кельвином Картером начали исследование физических и электронных свойств карбида кремния, редкого и естественного материала. Начало работы финансировалось Управлением Военно-Морских Исследований (OHP), которые надеялись разработать микроволновые транзисторы из SiC, которые могли стать основой для производства более мощной электронной системы направленной на службу в авиации.
Проведя ряд экспериментов ученые выяснили, что карбид кремния обладает рядом существенных преимуществ перед использующимися в то время другими полупроводниками. Устройства на основе карбида кремния, как предполагалось, могли работать при высоких температурах, большой мощности и большом напряжении. Но с SiC достаточно тяжело работать, так как он тяжело поддается обработке. Поэтому и выращивание кристаллов на этой подложке происходит при температуре не менее 3500 градусов по Фаренгейту. После того, как кристаллы выращены, их достаточно сложно разрезать и травить цепи.
Однако, ученые NSCUнашли способы обойти эти трудности. Были разработаны собственные процессы по выращиванию объемных SiC в единой кристаллической форме, которые в последствии легки в механической обработке. В июле 1987 года было запатентовано более 10 патентов по этому поводу и основная группа ученых с университета сформировалаCreeResearchInc. Долгое время фирма пыталась основать свой офис в силиконовой долине, но в конце-концов штаб-квартира бы оформлена в Research Triangle Park в Северной Каролине. В это время команда компании состояла из сотрудников NSCU, университета Северной Каролины в Чапелл-Хилл и университета Дьюка в Дареме, а также ряд правительственных лабораторий США и ряд высокотехнологичных корпораций. Фирма продолжала новаторские исследования и через некоторое время были сделаны новые открытия, которые мгновенно были запатентованы. К основным открытиям можно отнести: процесс снижения примесей в SiC тонких пленках, оборудования, предназанченные для работы в высоких температурах. Процесс самого производства пластин, процессы выращивания кристаллов больших размеров и наконец, процесс подготовки поверхности SiC пластин.
В 1989 году компания Cree завершила свои первые и революционные исследования и выпустила первый в мире синий светодиод. Изобретение синего светодиода можно было приравнять к находке святого Грааля в электронике. Ведь раньше были только известны красный, зеленый, желтый и оранжевый светодиоды. Но такие цвета были недостаточны для получения полного спектра цветов. Появление синего светодиода, в сочетании с двумя другими светодиодами дали возможность производить полноцветные видео щиты, дисплеи и т.п. Это было настоящим прорывом в светодиодной технологии. Синий светодиод был пущен в серийное производство летом 1990 года, а уже в октябре было продано более 1 млн. синих светодиодов. И компания Creeстала каждый месяц выпускать не менее этого количества экземпляров синих светодиодов. Помимо этого инженеры компании стали вовсю использовать синие светодиоды, для возможности использования их в разнообразных приборах и устройствах. Так было уделено много внимания на получение синего лазера с использованием аналогичного светодиода. Предполагалось, что этот лазер будет с уменьшенной длиной волны. Этот лазер должен был использоваться в высокотехнологических приборах ( СД, DVDприводы и т.д. ). Работы в этом направлении продолжались вплоть до 2000 года.
Совместно с центром электроники Северной Каролины и управления военно-морских исследований в мае 1991 года был создан новый мощный транзистор на основе карбида кремния MESFET. Его особенность такого, что диапазон работ до Гигагерц. Это было прорывом в области электроники, т.к. новые транзисторы работали до 500 процентов выше старых чипов. Также не заканчивались работы в компании по усовершенствованию пластин SiCи полупроводников на основе SiC, способных функционировать при высоких температурах окружающей среды.
К началу 1990 года Creeосновало производство SiC пластин для научных исследований, с новым эпитаксиальным покрытием. Это было сделано для того, чтобы завоевать рынок. Использование пластин различными учеными для своих опытов поощрялись компанией, ведь это давало новые разработки SiC продуктов.
Первые пять лет доходы компании были не велики. Основной статьей доходов являлись контракты правительства США. Так в 1992 году федеральное правительство заключило контракт на 595000 долларов, это составило около 72 % от всего заработка компании. Эти деньги также были вложены на исследования и разработки. В 1993 году фирма заключила контракт с частными корпорациями – Motorola и General Electric Corporation.
Финансовая сторона Cree Research Inc.
C момента основания компания была в убытках почти пять лет. И только в первом квартале 1993 года появилась первая прибыль. А дальше все покатилось в гору. К концу 1993 года 40 процентов доходов компании складывались от продажи SiC-пластин, предназначенных для исследователей, а остальное – коммерческая продажа продукта. Более 50 процентов продаж приходилось на зарубежные страны. В частности только 35 процентов продукта было продано японским корпорациям, таким как: Shin-Etsuи Sumitomo.
Конец 1992 года ознаменован выпуском акций компании. Большинство скептиков, предполагали, что это пустая трата денег и компания не сможет выбраться на мировой рынок ценных бумаг. Такое впечатление у «знающих» людей складывалось на основании того, что Cree занималась только высокотехнологическим разработками, которые были интересны определенному кругу потребителей. И основным покупателем на то время были General Electric и японские дистрибьюторы. Однако, к счастью, прогнозы не оправдались. И уже в феврале 1993 года компания смогла повысить стоимость своихакцийй с первоначальных 8,25$ до 25$ за акцию. К концу года акции немного упали в цене и стали стоить по 18 $ за штуку. Благодаря таким инвестициям компания Cree смогла получить 13280 тысяч$, которые были пущены на расширение производственных мощностей в Северной Каролине.
Рост компании Cree
К середине 1993 года фирма довела до совершенства SiC технологии и расширила свое влияние на мировом рынке светодиодной промышленности. В 1994 году Cree приобрела гонк-конгскую Color Cells International и сделала ее своей дочерней компанией Real, специализирующейся на цветных дисплеях. В следующем году Cree подписала договор с корпорацией SiemensAG ( Германия ) для совместного выпуска светодиодов. В свою очередь Siemens изъявила желание приобрести светодиоды этой компании и SiC пластины. Также, работая под контракт DRAPA Cree активизирует свои исследования в области синих лазерных светодиодов, предназначаемых для скрытой системой связи у военных сил США, а также для высокой плотности записи оптических устройств ( CDи DVD ). Рынок которых, как ожидалось достигнет своего пика в 21 веке. В июне 1997 года была обнародована информация о том, что получен первый электрический импульс нитрида галлия на основе синего лазерного света. Правда срок службы у них был не более часа. На коммерческий рынок с таким «долголетием» конечно не пойдешь, т.к. основной успех должен был быть при наличии «жизни» в несколько тысяч часов. Но это был только первый шаг в этой области. И если синий лазер был только на стадии разработки, то SiC показал себя абсолютно жизнеспособным материалом, для его применения.
Помимо этого, Creeоткрыла совершенно новый рынок для своих SiC в конце 1997 года, когда стал производить алмазоподобные кристаллы на основе SiC, как драгоценные камни для ювелирных изделий. Данный факт позволил акциям компании взлететь за неделю до 22,18 долларов. Через год цены на бумаги стали еще выше. Руководство компании сообщило о прибыли в 2,36 млн.долларов, что составляло почти 100 процентный прирост по сравнению с прошлым годом. И акции уже продавались по 27,50 долларов за штуку. Производственные мощности компании Cree работали всего на 80 процентов, а численность сотрудников составляла не более 275 человек, который постоянно увеличивался. Такой рост компании эксперты считают закономерным, так как именно эта компания первая выявила новый процесс по увеличению SiC пластин и их качества. И уже в 2000 году руководство приняло решение сменить название компании и появился новый брэнд – CreeInc.
Возможности и задачи в новом веке.
Утвердившись на рынке светодиодной продукции корпорация Cree в 2000 году выпустила новые акции на рынок. Аналитики, даже не смотря на ошеломительный успех компании, призывают инвесторов не рисковать. Судьба компании зависела всего только от нескольких основных производств. А это огромный риск. И на тот момент было только пять крупных клиентов, которые составляли 4/5 от всех продаж компании. И только Siemens приносил компании 37 процентов всего дохода. Другая контора, по продаже драгоценных камней снизила свои продажи за счет участившихся сбоев по доставке товара. В результате этого Cree пришлось пересмотреть доходы за 2001 год.
Вторая половина 2000 года была одной из лучших за всю историю компании, так как доход компании увеличился практически в 2 раза. А акции продавались уже за 139 долларов. По данным журнала Fortune, компания Cree Inc. была одной из самых динамически развивающихся компаний в США на 2000 год. Она стала занимать 11 место по этому показателю.
Вопреки заверениям экспертов компания росла и расширялась. Была приобретена Nitres, Inc за 233 млн.долларов, занимающаяся также разработками полупроводников на основе нитридов для министерства торговли США и военных. Nitries стала дочерней компанией и переименовалась в Cree Lighting Company.
В ноябре 2000 года Cree приобрела UltraRFза 95 млн.долларов и стала называться Cree Microwave. Помиом этого, в тоже время совместно со Spectrianруководство договорилось о проведении совместных исследований в области рассеянных металл-оксидных полупроводников ( LDMOS ) и SiCMESFET компонентов.
Creeпродолжала разрабатывать новые продукты в 2000 году. В июне этого года была представлена линейка светодиодов с низким энергопотреблением. Эти светодиоды потребляли практически в два раза энергии меньше, чем все известные полупроводники. В конце года компания объявила о выпуске новых светодиодных автомобильных приборных панелей, которые не имеют свойства перегорать. Данная разработка с успехом стала применяться в автомобилях Фольксваген и Ауди. Помимо этого производство приборов на основе нитридов галлия дали возможность увеличить мощность и дальность вышек сотовой связи.
Между 1999 и 2000 годом, основной японский дистрибьютор компании Cree–Sumitomo Corporation судились с Nichia Corporation. Последние утверждали, что Cree нарушила ряд патентов их корпорации. Пришлось вмешаться в это дело юристам компании Cree. В результате этого в 2001 году были сняты все обвинения. Руководители Nichia не удовлетворились данным вердиктом и подали повторное обвинение в верховный суд Токио. В свою очередь Cree обвинила оппонентов и их дочернюю компанию Nichia America Corporation в нарушении патентов на боковую эпитаксиальную технологию по росту кристаллов. Nichia также обвиняла Cree в том, что они похитли секретные разработки корпорации при помощи завербованного ими сотрудника по светодиодному освещению в 2002 году.
В поддержку корпорации Cree вступилось правительство США, которое продолжало снабжать контрактами фирму. Компания получила очередную сумму в 14,5 млн.долларов для создания светодиодов и лазерных диодов, которые можно использовать для обнаружения биологических вирусов, в частности сибирской язвы.
В настоящее время компания сформировала пять основных подразделений:
- Materials – производство SiC пластин и эпитаксиальных структур
- Xlamp LEDs – производство светодиодных ламп
- LED Chips – производство светодиодных кристаллов
- Power Device – силовые полупроводниковые приборы на основе SiC, с высоковольтными диодами Шоттки
- Wireless Devices – микроволновые приборы на основе карбида кремния и нитрида галлия
Основные дочерние компании: Cree Microwave, Inc.; Cree Lighting Company; Cree Research FSC, Inc.; Cree Funding, LLC; Cree Employee Services Corporation; Cree Technologies, Inc.; CI Holdings, Limited; Cree Asia-Pacific, Inc.; Cree Japan, Inc.
Основные конкуренты: AXT Inc.; Agilent Technologies; Hitachi Ltd.; Philips Electronics N.V.; LG Electronics Inc.; Matsushita Kotobuki Electronics Industries Co., Ltd.; Mitsui & Co. Ltd.; Motorola Inc.; NEC Corporation; Nitronex Corporation; Planar Systems Inc.; Sony Corporation; Sumitomo Electric Industries Ltd.; Telefonaktiebolaget LM Ericsson; Three-Five Systems Inc.; Uniroyal Technology Corporation.